三星与海力士共同投资950万美元 合作开发MRAM

编辑:站酷工作室 发布于2018-08-17 16:21

  据韩国报纸《The Korea Times》报道,三星(Samsung)电子与海力士(Hynix)半导体将合作开发包括MRAM在内的下一代内存器件。

  据报道,在一个由韩国政府支持的研发项目中,这两家公司将共同投资90亿韩元(合950万美元)。该项目将持续到2011年,总投资是525.8亿韩元(合5,540万美元)。

  报道称,这两家公司将开发旋转力矩转移-磁性随机存储器(STT-MRAM)和其它非易失性存储器件。