吉时利半导体特征分析系统升级版扩展功能

编辑:站酷工作室 发布于2019-07-19 12:15

  美国吉时利(Keithley)仪器公司日前发布最近针对其4200-SCS半导体特征分析系统推出了KTEI(吉时利交互式测试环境)V7.1版。经过此次软件升级之后,KTEI支持更高功率半导体器件的测试。这样,4200-SCS就支持从低到高各种功率水平的器件的特征分析,大大降低了一些复杂测量的难度,并且通过保护用户的固定资产投资降低了用户的测试成本。

  KTEI V7.1的此次升级融合了多种新特征和新功能,扩宽了4200-CVU(电容-电压单元)的功能, 包括对高达200VDC(即400V差分电压)和300mA更高功率半导体器件的特征分析提供了软件支持。这一功能对于从事LDMOS(横向扩散MOS)器件以及用于汽车、显示器、MEMS和其他高功率应用的较高功率半导体器件研究与开发的工程技术人员是非常有用的。KTEI V7.1还为下列新功能增加了软件支持:
  •    差分直流偏压
  •    准静态C-V测试
  •    扩展的器件测试库
  •    为加速和简化测试而推出的各种软件增强功能

  支持更高功率的测试

  新的4200-CVU-PWR C-V电源包硬件选件配合KTEI V7.1中的C-V软件工具一起使用,能够对高达200VDC电压(即400VDC差分电压)和300mA电流的高功率器件进行C-V测试。这种C-V测试可用于汽车电子器件、MEMS、LDMOS、显示器和其他较高功率器件的设计、测试与建模。利用吉时利的4200-CVU-PWR C-V电源包,4200-SCS特征分析仪能够在一个系统内支持更高功率的C-V、脉冲I-V(电流-电压)和直流I-V测试应用。

  此次升级的另外一项重要功能是采用了差分直流偏压。4200-CVU集成的C-V测试仪对称电路升级了flash存储器,能够在C-V HI和C-V LO端口上施加高达60V的差分直流偏压。吉时利是第一个实现这一独特功能的参数分析仪厂商,利用这一功能能够对待测器件的电场进行更灵活的控制。这一功能尤其对于纳米元件等特殊器件的器件建模十分有用。4200-CVU固件升级包含在KTEI V7.1内部,因此用户不需要将设备返送回厂家进行重编程。

  此次软件升级支持最新的准静态C-V测量技术——Ramp Rate方法,其中采用了4200-SCS现有的SMU和前置放大器。准静态C-V技术非常适合于低功耗CMOS器件、高k介质器件、显示器件和其他低泄漏器件的特征分析。

  价格与供货

  KTEI V7.1对于现有的4200-SCS系统是可以立即免费升级的,用户联系吉时利的销售工程师即可预订。4200-CVU-PWR C-V电源包同样有现货供应,可以作为备选附件进行订购。